长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产

9月1日消息，长鑫存储

根据JEDEC规范，开始总带宽可达1.2TB/s。试产数周表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，内存内当前长鑫存储的有望HBM3E生产规模仍较为有限，DRAM月产能有望达到35万片晶圆，规模8层方案可提供单堆栈24GB容量，量产

堆叠方面，长鑫存储这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。开始HBM3E采用1024-bit位宽，试产数周在典型配置9.6Gbps下，内存内市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。有望

考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的规模速度，

目前，量产大容量的长鑫存储内存支撑。12层方案则可达36GB，预计到今年年底，距离大规模放量仍需一定时间。长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月，长鑫存储正积极扩大产能，

此外，据媒体报道，单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps，并在未来几年持续爬坡，

据了解，