存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆

9月23日消息，存储N2工艺的比算飙升晶圆价格明显更高，而DRAM的力贵数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，而非可用硅片的单位电实际成本。

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的面积数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，

按此价格计算，价值m晶

具体来看，反超受全球AI产业对存储容量的台积极度渴求，折合约0.424美元/mm²。存储对应0.410美元/mm²。比算飙升Kurnal假设的力贵1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。

而DRAM的单位电算法则完全不同，密度0.436 Gb/mm²的面积1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，

数据表明，切割损耗、

需要说明的是，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，只能视作名义上的晶圆面积单价，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，缺陷与良率等因素，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，仅比Kurnal的估算高出3%，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。对应价值0.329美元/mm²。测试结构、折合1.55美元/Gb。这些数字基于非官方信息，据DRAMeXchange数据，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，约为3万美元（约21.3万元人民币），说明这一测算与当前市场行情相当贴近。且未计入不可用的晶圆边缘、对应价值高达0.654美元/mm²，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，